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电子元器件详细资料 » IC[27122] » SI4925BDY-T1-GE3
型号:SI4925BDY-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C25 毫欧 @ 7.1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs50nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
深圳市春东电子有限公司朱先生/王小姐0755-82563615/82563213
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
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SI4925BDY-T1-GE3相关型号

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